IPC100N04S5L1R5ATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S5L1R5ATMA1 par Infineon et IAUA220N08S5N021AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC100N04S5L1R5ATMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $2,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-5 40 V —
Polarity / Channel Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 115 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 1.5 mOhm (typ) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V 1.8 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C (Tj)
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
AEC-Q101 Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% —
Technology — OptiMOS-5 (75V-120V family)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 220 A
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 2.1 mΩ at 10 V V_GS
Power Dissipation (P_D, Tc) — 211 W
Gate-Source Voltage (V_GS max) — [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V]
Output Capacitance (C_oss) — [DATA_NEEDED: C_oss typical]
Thermal Resistance (R_thJC) — [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance]

Fiches techniques et ressources

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