IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon et IAUA120N04S5N014AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 - 40V 120A 1.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $2,18 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 50 A | — |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 5.5 mΩ | — |
| Gate Threshold VGS(th) | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 42 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | 3.6 K/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) | PG-HSOF-5-2 (sTOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Avalanche Rating | 100 % Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUA120N04S5N014AUMA1 |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 1.4 mΩ |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C | — | 136 W |
| Nombre de broches | — | 5 + Tab (6 effective) |
| Gate Drive | — | Enhancement Mode |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |