IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPC50N04S5L5R5ATMA1 제조: Infineon 및 IAUA120N04S5N014AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $2.18
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
패키지 PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
핀 수 — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS 상태 — Compliant
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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