IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon und IAUA120N04S5N014AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,36 $2,18
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
Gehäuse PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
Pin-Anzahl — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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