IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $1,68
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
Boîtier PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology — OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis