IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon et IPB014N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | IPB014N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $2,10 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 50 A | — |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 5.5 mΩ | — |
| Gate Threshold VGS(th) | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 42 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | 3.6 K/W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Avalanche Rating | 100 % Avalanche Tested | 100% avalanche tested |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.4 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| Primary Application | — | Synchronous rectification, motor control |