IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon e IPB014N06NATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $2,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested 100% avalanche tested
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS 5 (trench-gate)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Fichas técnicas e recursos

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