IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC70N04S5L4R2ATMA1 par Infineon et IPC50N04S55R8ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,61
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 50 A
Power Dissipation (P_D) at Tc — 42 W
R_DS(on) Max (V_GS=10V) — 5.8 mΩ
Output Capacitance (C_oss) — 305 pF
Gate Threshold (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS compliant, Green Product
Polarity — Enhancement Mode

Fiches techniques et ressources

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