IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPC70N04S5L4R2ATMA1 por Infineon e IPC50N04S55R8ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,61
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100% (60 A production test) —
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 50 A
Power Dissipation (P_D) at Tc — 42 W
R_DS(on) Max (V_GS=10V) — 5.8 mΩ
Output Capacitance (C_oss) — 305 pF
Gate Threshold (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS compliant, Green Product
Polarity — Enhancement Mode

Fichas técnicas e recursos

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