IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD034N06N3GATMA1 par Infineon et IRL40S212ARMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD034N06N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,51 | $2,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 167 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4 V at 93 uA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2 + Tab) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free green finish) | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 231 W |
| Lead-Free | — | Yes |