IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 比較

詳細な並列比較: IPD034N06N3GATMA1 メーカー: Infineon および IRL40S212ARMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD034N06N3GATMA1 IRL40S212ARMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.51 $2.31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj max]
RoHS ステータス Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Part Family — StrongIRFET™
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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