IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N08S2L21ATMA1 par Infineon et IPD35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,81 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Part Number | — | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |