IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD30N10S3L34ATMA2 par Infineon et IPD30N06S2L13ATMA4 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,48 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | Planar (OptiMOS) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 136 W (Tc) |
| Boîtier | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Package) |
| Avalanche Tested | — | 100 % production-tested |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] |
| Gate-Source Threshold (Vgs(th)) | — | Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] |
| Diode Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typ] |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (T&R per IEC 60286-3) |