IPD50N03S4L06ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N03S4L06ATMA1 par Infineon et IPD90N04S403ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N03S4L06ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $1,05
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 50 A 90 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) 5.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 2.2 V —
Total Gate Charge (Q_g) 31 nC at V_GS = 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 2.33 nF —
Output Capacitance (C_oss) 600 pF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 34 pF —
Power Dissipation (P_D) 56 W at Tc = 25 C —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Statut RoHS Compliant (Green Package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS-T2)

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