IPD50N03S4L06ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD50N03S4L06ATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N04S403ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ 生産中
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IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD50N03S4L06ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $1.05
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 50 A 90 A
On-State Resistance (R_DS(on) max) 5.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 2.2 V —
Total Gate Charge (Q_g) 31 nC at V_GS = 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 2.33 nF —
Output Capacitance (C_oss) 600 pF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 34 pF —
Power Dissipation (P_D) 56 W at Tc = 25 C —
動作接合温度 -55 C to +175 C -55C to +175C
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS ステータス Compliant (Green Package) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS-T2)

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