IPD50P04P413ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50P04P413ATMA2 par Infineon et IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50P04P413ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $1,74 |
| Polarity / Device Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-P2 (Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | 58 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | 2500 pcs | — |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |