IPD50R399CPATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50R399CPATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50R399CPATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | Superjunction (CoolMOS™) |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |