IPD50R399CPATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD50R399CPATMA1 제조: Infineon 및 IPD65R380E6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD50R399CPATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.89 | $0.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | Superjunction (CoolMOS™) |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | 1 |