IPD50R399CPATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD50R399CPATMA1 por Infineon e IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD50R399CPATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,89 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | Superjunction (CoolMOS™) |
| Contagem de pinos | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +150 °C |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Nível MSL | — | 1 |