IPD60R180P7ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R180P7ATMA1 par Infineon et IAUC60N04S6L030HATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R180P7ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis