IPD60R180P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R180P7ATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R180P7ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |