IPD60R180P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD60R180P7ATMA1 от Infineon и IPD50N06S409ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD60R180P7ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,81 | $0,49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Число выводов | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |