IPD60R180P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R180P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD50N06S409ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R180P7ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
동작 접합 온도 -55C to +150C -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
핀 수 — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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