IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R1K0PFD7SAUMA1 par Infineon et IPN70R2K0P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,38 |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | 3.5 V (typical) |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |