IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R1K0PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPN70R2K0P7SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPN70R2K0P7SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.38
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) 3.5 V (typical)
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-SOT223 (3 leads + tab)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) -55 °C to +150 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (ROHS3)
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 3 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 6 W
On-Resistance (RDS(on)) — 2.0 Ω (max, VGS=10 V)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±20 V
Integrated ESD Diode — Yes
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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