IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD60R1K0PFD7SAUMA1 제조: Infineon 및 IPN70R2K0P7SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.36 | $0.38 |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | 3.5 V (typical) |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |