IPD60R360P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R360P7ATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R360P7ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | 650 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 360 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | 41 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Storage Temperature | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | 3.5 V (typ) | — |
| ESD Protection (HBM) | >2 kV (per datasheet) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD20) | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |