IPD60R360P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R360P7ATMA1 por Infineon e IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R360P7ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ E6
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V 650 V
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD20) 1
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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