IPD60R385CPATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R385CPATMA1 par Infineon et IPB60R165CPATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon
IPB60R165CPATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R385CPATMA1 | IPB60R165CPATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $1,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | — | CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 192 W |
| On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) | — | 165 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55°C to +150°C |
| Boîtier | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC for target applications |
| dv/dt Ruggedness | — | Extreme dv/dt rated |
| Polarity / Channel | — | N-Channel |