IPD60R385CPATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 比較
詳細な並列比較: IPD60R385CPATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R165CPATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon
IPB60R165CPATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPD60R385CPATMA1 | IPB60R165CPATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.42 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +150 °C | — |
| パッケージ / ケース | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant (Pb-free lead plating) |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | — | CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 192 W |
| On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) | — | 165 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55°C to +150°C |
| パッケージ | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC for target applications |
| dv/dt Ruggedness | — | Extreme dv/dt rated |
| Polarity / Channel | — | N-Channel |