IPD60R385CPATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD60R385CPATMA1 от Infineon и IPB60R165CPATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 - 600V 385mΩ CoolMOS™ CP MOSFET | Infineon

IPD60R385CPATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon

IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon

IPB60R165CPATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD60R385CPATMA1 IPB60R165CPATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,42 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Рабочая температура перехода -55 °C to +150 °C —
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
Статус RoHS Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
Корпус — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену