IPD60R600C6 vs IPD60R380C6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R600C6 par Infineon et IPD60R380C6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R600C6 IPD60R380C6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C6 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology Superjunction (CoolMOS) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-to-Source Voltage (V DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I D) at T C = 25 C 7.3 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R DS(on)) max at V GS = 10 V 600 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P D) at T C = 25 C 63 W —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical and minimum] —
Gate Charge (Q G) typical [DATA_NEEDED: Q G value] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Fiches techniques et ressources

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