IPD60R600C6 vs IPD60R380C6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R600C6 por Infineon e IPD60R380C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R600C6 IPD60R380C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C6 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology Superjunction (CoolMOS) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-to-Source Voltage (V DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I D) at T C = 25 C 7.3 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R DS(on)) max at V GS = 10 V 600 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P D) at T C = 25 C 63 W —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical and minimum] —
Gate Charge (Q G) typical [DATA_NEEDED: Q G value] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Fichas técnicas e recursos

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