IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R600PFD7SAUMA1 par Infineon et IPD60R1K0PFD7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,45 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS PFD7 | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |