IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 比較
詳細な並列比較: IPD60R600PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPD60R1K0PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPD60R600PFD7SAUMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.45 | $0.36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS PFD7 | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 6 A (Tc) | — |
| R_DS(on) Max | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 8.5 nC | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 8 pF @ 400 V | — |
| Power Dissipation (P_D) | 31 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| パッケージ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C to +150°C (Tj) | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Reel Quantity | 2500 | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| 動作温度範囲 | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |