IPD70N10S312ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA1 par Infineon et IPD082N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70N10S312ATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $1,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | IPD082N10N3GATMA1 |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 80 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 8.2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 125 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | Not applicable (industrial/consumer grade) |
| Lead-Free | — | Yes |