IPD70N10S312ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD70N10S312ATMA1 メーカー: Infineon および IPD082N10N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD70N10S312ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $1.14
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: Qg typical]
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
パッケージ PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
動作接合温度 — -55°C to +175°C
パッケージ / ケース — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS ステータス — Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

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