IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R1K4P7ATMA1 par Infineon et IPD70R1K4P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD80R1K4P7ATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology N-Channel Superjunction Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Dissipation de puissance (Ptot) 32 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TO252-2 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Statut RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Body Diode Integrated, fast recovery —
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

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