IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD80R1K4P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPD70R1K4P7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ 生産中
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD80R1K4P7ATMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology N-Channel Superjunction Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
消費電力(Ptot) 32 W —
動作接合温度 -55C to +150C -55C to +150C
パッケージ PG-TO252-2 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS ステータス Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Body Diode Integrated, fast recovery —
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

データシート&リソース

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