IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD80R1K4P7ATMA1 от Infineon и IPD70R1K4P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | N-Channel Superjunction | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 32 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Корпус | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | Yes (100% avalanche tested) |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Part Family | — | CoolMOS P7 (700V Superjunction) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | — | 1.4 ohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 23 W |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |