IPD90N03S4L02ATMA1 vs IPT007N06NATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N03S4L02ATMA1 par Infineon et IPT007N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD90N03S4L02ATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $2,84 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 2.2 mΩ | — |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | 4.5 V to 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical value] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (Green Package) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Series | OptiMOS-T2 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |