IPG20N06S415ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S415ATMA2 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 - Dual N-Ch 60V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S415ATMA2 - Dual N-Ch 60V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S415ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N06S415ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,49
Technology Dual N-channel enhancement-mode MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
Total Power Dissipation (Ptot) 50 W —
On-State Resistance R_DS(on) 15.5 mOhm max at V_GS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (Dual Super S08) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Statut RoHS RoHS compliant (Green Product) Compliant
Configuration Dual N-channel array —
Channel Type N-Channel (Normal Level) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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