IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N10S4L35ATMA1 par Infineon et IPG20N04S408ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N10S4L35ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C 20 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 43 W —
Température de fonctionnement 175°C max junction —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Niveau MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Series OptiMOS™, Automotive —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested 100 percent tested
Technology — OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 degC to +175 degC
Boîtier — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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