IPL60R125C7AUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R125C7AUMA1 par Infineon et IPL65R070C7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R125C7AUMA1 | IPL65R070C7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $1,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS (superjunction) | Superjunction N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 17 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max) | 125 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 103 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Boîtier | PG-VSON-4 (surface mount) | PG-VSON-4 (surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 4 (Gate / Drain / Drain / Source) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage (recommended) | 10 V VGS | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 70 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 169 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 171 mJ |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |