IPL60R125C7AUMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPL60R125C7AUMA1 от Infineon и IPL65R070C7AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPL60R125C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,10 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS (superjunction) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 17 A —
On-State Resistance (RDS(on), max) 125 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc) 103 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Корпус PG-VSON-4 (surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 4 (Gate / Drain / Drain / Source) —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Channel Mode Enhancement —
Drive Voltage (recommended) 10 V VGS —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Рабочая температура перехода — -55°C to +150°C
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену