IPL60R125P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R125P7AUMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPL60R125P7AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (600 V) |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 27 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 125 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 36 nC | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | 36 nC | — |
| Output Capacitance Coss (typ) | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | 3.5 V | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Pin Configuration | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |