IPL65R070C7AUMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R070C7AUMA1 par Infineon et IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R070C7AUMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Boîtier PG-VSON-4 (surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]

Fiches techniques et ressources

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