IPL65R070C7AUMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL65R070C7AUMA1 por Infineon e IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL65R070C7AUMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,68 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-VSON-4 (surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]

Fichas técnicas e recursos

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