IPN80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN80R1K4P7ATMA1 par Infineon et IPN80R1K2P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN80R1K4P7ATMA1 | IPN80R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,34 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (500V-950V) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 1200 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 7 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (CoolMOS) |
| Boîtier | PG-SOT223 (surface mount) | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Grade | Industrial | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Family / Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 800 V |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | — | 4.5 A |
| Maximum RDS(on) | — | 1200 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation PD (Tc) | — | 6.8 W |
| Gate-Source Voltage VGSS | — | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| ESD Protection | — | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |