IPN80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPN80R1K4P7ATMA1 por Infineon e IPN80R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPN80R1K4P7ATMA1 | IPN80R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,34 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (500V-950V) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 1200 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 7 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (CoolMOS) |
| Encapsulamento | PG-SOT223 (surface mount) | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Grade | Industrial | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Family / Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 800 V |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | — | 4.5 A |
| Maximum RDS(on) | — | 1200 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation PD (Tc) | — | 6.8 W |
| Gate-Source Voltage VGSS | — | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| ESD Protection | — | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |